半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
10期
1794-1799
,共6页
孟志国%王文%吴春亚%李娟%郭海成%熊绍珍%张芳
孟誌國%王文%吳春亞%李娟%郭海成%熊紹珍%張芳
맹지국%왕문%오춘아%리연%곽해성%웅소진%장방
金属单向诱导横向晶化%多晶硅薄膜晶体管%三倍频YAG固体激光器%激光修饰
金屬單嚮誘導橫嚮晶化%多晶硅薄膜晶體管%三倍頻YAG固體激光器%激光脩飾
금속단향유도횡향정화%다정규박막정체관%삼배빈YAG고체격광기%격광수식
对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.
對採用金屬誘導單一方嚮橫嚮晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)併結閤激光後退火技術,以提高多晶硅薄膜晶體管的性能,進行瞭深入研究.MIUC薄膜晶體管已具有良好的器件性能和均勻性,再加以三倍頻YAG激光退火後的MIUC薄膜晶體管,其場效應遷移率則可提高近一倍.器件的多種性能和參數的均勻性與所用脩飾性的激光處理條件密切相關,具有規律性,故而是可控的,這為工業化技術的掌控提供瞭基礎.
대채용금속유도단일방향횡향정화(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)병결합격광후퇴화기술,이제고다정규박막정체관적성능,진행료심입연구.MIUC박막정체관이구유량호적기건성능화균균성,재가이삼배빈YAG격광퇴화후적MIUC박막정체관,기장효응천이솔칙가제고근일배.기건적다충성능화삼수적균균성여소용수식성적격광처리조건밀절상관,구유규률성,고이시가공적,저위공업화기술적장공제공료기출.
