北京大学学报（自然科学版）
北京大學學報（自然科學版）
북경대학학보（자연과학판）
ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS
2007年
5期
677-682
,共6页
唐矩%鲁文高%陈中建%吉利久%张兴
唐矩%魯文高%陳中建%吉利久%張興
당구%로문고%진중건%길리구%장흥
电流源%77K%亚阈值
電流源%77K%亞閾值
전류원%77K%아역치
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77 K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性.此电流源设计采用0.5 μm标准CMOS工艺.工作电压为5 V.室温测试当工作电压从2.3 V到6.4 V变化时,输出电流从199 nA变化到212 nA,精度为1.4%/V.在液氮环境测试当工作电压从3V到6.8 V变化时,输出电流从355 nA变化到372 nA,精度为1.3%/V.由于电路工作温度稳定,所以不要求电流源有良好的对温度稳定性.
給齣瞭一種應用于低溫光敏探測器讀齣電路的可編程電流源,工作在液氮環境(77 K),無外加單元,與一般電流源設計不同,本設計將部分MOS管設計在亞閾值區工作來提高電路工作穩定性.此電流源設計採用0.5 μm標準CMOS工藝.工作電壓為5 V.室溫測試噹工作電壓從2.3 V到6.4 V變化時,輸齣電流從199 nA變化到212 nA,精度為1.4%/V.在液氮環境測試噹工作電壓從3V到6.8 V變化時,輸齣電流從355 nA變化到372 nA,精度為1.3%/V.由于電路工作溫度穩定,所以不要求電流源有良好的對溫度穩定性.
급출료일충응용우저온광민탐측기독출전로적가편정전류원,공작재액담배경(77 K),무외가단원,여일반전류원설계불동,본설계장부분MOS관설계재아역치구공작래제고전로공작은정성.차전류원설계채용0.5 μm표준CMOS공예.공작전압위5 V.실온측시당공작전압종2.3 V도6.4 V변화시,수출전류종199 nA변화도212 nA,정도위1.4%/V.재액담배경측시당공작전압종3V도6.8 V변화시,수출전류종355 nA변화도372 nA,정도위1.3%/V.유우전로공작온도은정,소이불요구전류원유량호적대온도은정성.
