功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2008年
2期
331-333
,共3页
庄惠照%胡丽君%薛成山%薛守斌
莊惠照%鬍麗君%薛成山%薛守斌
장혜조%호려군%설성산%설수빈
Ga2O3/Al膜%GaN 纳米棒%氨化%磁控溅射
Ga2O3/Al膜%GaN 納米棒%氨化%磁控濺射
Ga2O3/Al막%GaN 납미봉%안화%자공천사
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒.
採用磁控濺射的方法在Si(111)襯底上濺射沉積瞭Ga2O3/Al膜,併通過氨化的方法在Si(111)襯底上穫得瞭GaN納米結構材料,研究瞭不同的氨化溫度對生成GaN納米結構材料的影響.對樣品進行瞭傅立葉紅外吸收(FTIR)、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)以及高分辨電鏡(HRTEM)測試,分析瞭不同溫度對GaN樣品的結構、組分和形貌等特性的影響.結果錶明,用該方法在950℃的氨化溫度下得到瞭大量的六方GaN納米棒.
채용자공천사적방법재Si(111)츤저상천사침적료Ga2O3/Al막,병통과안화적방법재Si(111)츤저상획득료GaN납미결구재료,연구료불동적안화온도대생성GaN납미결구재료적영향.대양품진행료부립협홍외흡수(FTIR)、X사선연사(XRD)、소묘전경(SEM)、투사전경(TEM)이급고분변전경(HRTEM)측시,분석료불동온도대GaN양품적결구、조분화형모등특성적영향.결과표명,용해방법재950℃적안화온도하득도료대량적륙방GaN납미봉.
