固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
4-7
,共4页
牛南辉%王怀兵%刘建平%邢燕辉%韩军%邓军%沈光地
牛南輝%王懷兵%劉建平%邢燕輝%韓軍%鄧軍%瀋光地
우남휘%왕부병%류건평%형연휘%한군%산군%침광지
铟镓氮%镁掺杂%霍尔测试%X射线双晶衍射%原子力显微镜%金属有机物化学气相淀积
銦鎵氮%鎂摻雜%霍爾測試%X射線雙晶衍射%原子力顯微鏡%金屬有機物化學氣相澱積
인가담%미참잡%곽이측시%X사선쌍정연사%원자력현미경%금속유궤물화학기상정적
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响.结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高.在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低.通过对这两个生长条件的优化,在760℃、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN:Mg薄膜.这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义.
利用MOCVD生長瞭InGaN:Mg薄膜,研究瞭生長溫度、摻Mg量對InGaN:Mg薄膜電學特性的影響.結果錶明,空穴濃度隨著生長溫度的降低而升高.在相同的生長溫度下,空穴濃度隨摻Mg量的增加,先升高後降低.通過對這兩箇生長條件的優化,在760℃、CP2Mg與TMGa摩爾流量之比為2.2‰時製備齣瞭空穴濃度高達2.4×1019cm-3的p-InGaN:Mg薄膜.這對進一步提高GaN基電子器件與光電子器件的性能有重要意義.
이용MOCVD생장료InGaN:Mg박막,연구료생장온도、참Mg량대InGaN:Mg박막전학특성적영향.결과표명,공혈농도수착생장온도적강저이승고.재상동적생장온도하,공혈농도수참Mg량적증가,선승고후강저.통과대저량개생장조건적우화,재760℃、CP2Mg여TMGa마이류량지비위2.2‰시제비출료공혈농도고체2.4×1019cm-3적p-InGaN:Mg박막.저대진일보제고GaN기전자기건여광전자기건적성능유중요의의.
