真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
6期
667-670
,共4页
唐定平%何智兵%陈志梅%谢征微%李玲%阳志林%闫建成
唐定平%何智兵%陳誌梅%謝徵微%李玲%暘誌林%閆建成
당정평%하지병%진지매%사정미%리령%양지림%염건성
低压等离子体增强化学气相沉积%Si掺杂辉光放电聚合物薄膜%X射线光电子能谱%傅里叶变换红外光谱
低壓等離子體增彊化學氣相沉積%Si摻雜輝光放電聚閤物薄膜%X射線光電子能譜%傅裏葉變換紅外光譜
저압등리자체증강화학기상침적%Si참잡휘광방전취합물박막%X사선광전자능보%부리협변환홍외광보
以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混合气体为工作气体,在不同TMS流量条件下,用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物(GDP)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂 GDP薄膜的化学组成结构.X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分,分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响.研究表明:薄膜中成功地掺入了Si元素;Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H等键合形式存在;在TMS流量为0.5～2 mL/min(标准状态)的范围内,薄膜中Si的原子浓度为0.72%～1.35%;随着TMS流量的逐渐增加,薄膜中Si含量逐渐增大.
以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混閤氣體為工作氣體,在不同TMS流量條件下,用低壓等離子體增彊化學氣相沉積法製備瞭Si摻雜輝光放電聚閤物(GDP)薄膜.採用傅裏葉變換紅外光譜錶徵瞭不同TMS流量下Si摻雜 GDP薄膜的化學組成結構.X射線光電子能譜錶徵瞭Si摻雜GDP薄膜成分,分析瞭TMS流量對Si摻雜GDP薄膜化學結構與元素組成的影響.研究錶明:薄膜中成功地摻入瞭Si元素;Si摻雜GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H等鍵閤形式存在;在TMS流量為0.5～2 mL/min(標準狀態)的範圍內,薄膜中Si的原子濃度為0.72%～1.35%;隨著TMS流量的逐漸增加,薄膜中Si含量逐漸增大.
이H2、반식이정희(T2B)화사갑기규완(TMS)혼합기체위공작기체,재불동TMS류량조건하,용저압등리자체증강화학기상침적법제비료Si참잡휘광방전취합물(GDP)박막.채용부리협변환홍외광보표정료불동TMS류량하Si참잡 GDP박막적화학조성결구.X사선광전자능보표정료Si참잡GDP박막성분,분석료TMS류량대Si참잡GDP박막화학결구여원소조성적영향.연구표명:박막중성공지참입료Si원소;Si참잡GDP박막중Si원소주요이Si-C,Si-H등건합형식존재;재TMS류량위0.5～2 mL/min(표준상태)적범위내,박막중Si적원자농도위0.72%～1.35%;수착TMS류량적축점증가,박막중Si함량축점증대.
