宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2011年
4期
36-40
,共5页
赵松%史景利%魏兴海%闫曦%刘朗
趙鬆%史景利%魏興海%閆晞%劉朗
조송%사경리%위흥해%염희%류랑
化学气相沉积%碳芯%SiC纤维%微观结构
化學氣相沉積%碳芯%SiC纖維%微觀結構
화학기상침적%탄심%SiC섬유%미관결구
以沥青基碳单丝为基体,一甲基三氯硅烷为碳化硅前驱体,使用通电加热的冷壁CVD工艺,温度在1 473～1 773 K,制备了碳芯SiC纤维.采用扫描电子显微镜和拉曼光谱对纤维的表面形貌及结构进行了表征,研究了沉积温度对其结构的影响.结果表明,SiC涂层为β-SiC晶型.沉积温度的升高引起了沉积速率的增加以及SiC涂层晶粒尺寸的长大.同时,导致碳芯中心区域发生结构重排,引起了该区域取向度的提高以及晶粒尺寸的减小.
以瀝青基碳單絲為基體,一甲基三氯硅烷為碳化硅前驅體,使用通電加熱的冷壁CVD工藝,溫度在1 473～1 773 K,製備瞭碳芯SiC纖維.採用掃描電子顯微鏡和拉曼光譜對纖維的錶麵形貌及結構進行瞭錶徵,研究瞭沉積溫度對其結構的影響.結果錶明,SiC塗層為β-SiC晶型.沉積溫度的升高引起瞭沉積速率的增加以及SiC塗層晶粒呎吋的長大.同時,導緻碳芯中心區域髮生結構重排,引起瞭該區域取嚮度的提高以及晶粒呎吋的減小.
이력청기탄단사위기체,일갑기삼록규완위탄화규전구체,사용통전가열적랭벽CVD공예,온도재1 473～1 773 K,제비료탄심SiC섬유.채용소묘전자현미경화랍만광보대섬유적표면형모급결구진행료표정,연구료침적온도대기결구적영향.결과표명,SiC도층위β-SiC정형.침적온도적승고인기료침적속솔적증가이급SiC도층정립척촌적장대.동시,도치탄심중심구역발생결구중배,인기료해구역취향도적제고이급정립척촌적감소.
