中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2000年
8期
687-690
,共4页
杨进华%任大翠%张剑家%杜宝勋%张兴德
楊進華%任大翠%張劍傢%杜寶勛%張興德
양진화%임대취%장검가%두보훈%장흥덕
半导体激光器%分别限制异质结构%光波导
半導體激光器%分彆限製異質結構%光波導
반도체격광기%분별한제이질결구%광파도
用改进的液相外延方法(LPE)生长了无铝的InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱半导体激光器,测量其远场分布近似为高斯分布.用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型,并简单解释了其生成原因,为改善光束质量提供了参考.
用改進的液相外延方法(LPE)生長瞭無鋁的InGaAsP/GaAs分彆限製單量子阱半導體激光器,測量其遠場分佈近似為高斯分佈.用緩變波導理論分析瞭產生這種分佈所對應的光波導結構的摺射率分佈模型,併簡單解釋瞭其生成原因,為改善光束質量提供瞭參攷.
용개진적액상외연방법(LPE)생장료무려적InGaAsP/GaAs분별한제단양자정반도체격광기,측량기원장분포근사위고사분포.용완변파도이론분석료산생저충분포소대응적광파도결구적절사솔분포모형,병간단해석료기생성원인,위개선광속질량제공료삼고.
