等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较
등리자MOCVD계통생장ZnO박막참N2화참NH3특성비교
Comparing with the Characteristics of N2 and NH3 Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma MOCVD System
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2004年 2期 143-146 ,共4页

    常玉春%杨晓天%王金忠%王新强%刘博阳%刘大力%胡礼忠%杜国同

    상옥춘%양효천%왕금충%왕신강%류박양%류대력%호례충%두국동

    金属有机化学气相沉积%氧化锌%掺杂 金屬有機化學氣相沉積%氧化鋅%摻雜
    금속유궤화학기상침적%양화자%참잡
    利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料.
    이용MOCVD방법생장료고질량적ZnO박막재료,분별통과N2화NH3대c면화R면람보석츤저상생장적ZnO박막재료진행료참잡행위연구.참N2시,X사선연사반봉전관부위0.148°,실온광형광발광봉위우3.29eV,반봉전관～100meV,전조솔유0.65 Ω·cm증대도5×l04Ω·cm.참NH3시,X사선연사봉반봉전관0.50°,양품위약p형,전조솔위102Ω·cm,재류자농도위1.69×1016 cm-3.동시아문환관찰도약p형재료흔용역퇴화성n형고조재료.
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