中国稀土学报
中國稀土學報
중국희토학보
JOURNAL OF THE CHINESE RARE EARTH SOCIETY
2006年
3期
279-283
,共5页
GaN%Eu%金属有机物化学气相沉积%Raman散射%铕%稀土
GaN%Eu%金屬有機物化學氣相沉積%Raman散射%銪%稀土
GaN%Eu%금속유궤물화학기상침적%Raman산사%유%희토
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕 GaN薄膜. 利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况. 结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤. 离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多. 不同几何配置的Raman谱研究表明,1000 ℃的高温退火导致了GaN的分解.
採用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)和離子註入的方法製備瞭摻銪 GaN薄膜. 利用Raman散射技術研究薄膜的晶格振動,從而確定離子註入引進的晶格損傷變化情況. 結果錶明,Eu離子註入劑量越大,對晶格的損傷越嚴重;Eu離子註入的能量越高,對晶格的損傷也越嚴重;採用溝道註入方法可以有效地減小對晶體的損傷. 離子註入後進行高溫退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢複,而N空位引起的缺陷隨著退火溫度的升高先減少後增多. 不同幾何配置的Raman譜研究錶明,1000 ℃的高溫退火導緻瞭GaN的分解.
채용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)화리자주입적방법제비료참유 GaN박막. 이용Raman산사기술연구박막적정격진동,종이학정리자주입인진적정격손상변화정황. 결과표명,Eu리자주입제량월대,대정격적손상월엄중;Eu리자주입적능량월고,대정격적손상야월엄중;채용구도주입방법가이유효지감소대정체적손상. 리자주입후진행고온퇴화,가이사정격중적Ga공위인기적결함득도유효적회복,이N공위인기적결함수착퇴화온도적승고선감소후증다. 불동궤하배치적Raman보연구표명,1000 ℃적고온퇴화도치료GaN적분해.
