半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
10期
1800-1803
,共4页
张书敬%杨瑞霞%武继斌%杨克武
張書敬%楊瑞霞%武繼斌%楊剋武
장서경%양서하%무계빈%양극무
PHEMT%X波段%MMIC%功率放大器
PHEMT%X波段%MMIC%功率放大器
PHEMT%X파단%MMIC%공솔방대기
报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
報道瞭X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率單片放大器的設計和研製.放大器採用兩級拓撲結構,輸入輸齣為50Ω阻抗匹配,芯片麵積為4.5mm×3mm.測試結果顯示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,輸齣功率在8W以上,功率附加效率為30%,功率增益為15dB.
보도료X파단8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC공솔단편방대기적설계화연제.방대기채용량급탁복결구,수입수출위50Ω조항필배,심편면적위4.5mm×3mm.측시결과현시,재7.5V화1.5A적DC편치하,수출공솔재8W이상,공솔부가효솔위30%,공솔증익위15dB.
