微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2007年
3期
61-65
,共5页
宽禁带半导体%碳化硅功率器件%雷达发射机
寬禁帶半導體%碳化硅功率器件%雷達髮射機
관금대반도체%탄화규공솔기건%뢰체발사궤
介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与Si和GaAs半导体相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点.SiC宽禁带功率器件,尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性和总效率等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景.文章还详细论述了现代雷达对SiC功率器件的具体指标要求.
介紹瞭SiC寬禁帶半導體材料的特性,通過與Si和GaAs半導體相比較,該材料在擊穿電場彊度、截止頻率、熱傳導率、抗輻射能力、結溫和熱穩定性等方麵具有顯著優點.SiC寬禁帶功率器件,尤其在輸齣功率、功率密度、工作頻率、工作帶寬、環境適應性和總效率等方麵具有卓越的性能,在雷達髮射機中有良好的應用前景.文章還詳細論述瞭現代雷達對SiC功率器件的具體指標要求.
개소료SiC관금대반도체재료적특성,통과여Si화GaAs반도체상비교,해재료재격천전장강도、절지빈솔、열전도솔、항복사능력、결온화열은정성등방면구유현저우점.SiC관금대공솔기건,우기재수출공솔、공솔밀도、공작빈솔、공작대관、배경괄응성화총효솔등방면구유탁월적성능,재뢰체발사궤중유량호적응용전경.문장환상세논술료현대뢰체대SiC공솔기건적구체지표요구.
