半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1041-1047
,共7页
何菊生%张萌%许彪%唐建成
何菊生%張萌%許彪%唐建成
하국생%장맹%허표%당건성
补偿度%GaN%电子迁移率%霍耳迁移率%补偿受主
補償度%GaN%電子遷移率%霍耳遷移率%補償受主
보상도%GaN%전자천이솔%곽이천이솔%보상수주
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016～1018 cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义.
用數值方法將室溫n型GaN補償度θ錶示為Caughey-Thomas解析模型函數.對大多數非故意摻雜樣品,該模型值θChin與Chin等人的理論值及普遍採用的變溫霍耳測量擬閤值比較錶明,三者具有較好的一緻性.對摻Si樣品及有氧或Si汙染的非故意摻雜樣品,基于Chin理論的補償度值與普遍採用的實驗擬閤值常有一定偏差,通過理論計算及數值方法,得到瞭摻硅GaN補償度的解析模型函數θSi,在室溫載流子濃度3×1016～1018 cm-3範圍內,該模型值與普遍採用的實驗擬閤值符閤得較好,與基于Chin理論的補償度θChin也有很好的相容性.該模型對GaN材料分析及器件的計算機模擬、器件倣真有重要意義.
용수치방법장실온n형GaN보상도θ표시위Caughey-Thomas해석모형함수.대대다수비고의참잡양품,해모형치θChin여Chin등인적이론치급보편채용적변온곽이측량의합치비교표명,삼자구유교호적일치성.대참Si양품급유양혹Si오염적비고의참잡양품,기우Chin이론적보상도치여보편채용적실험의합치상유일정편차,통과이론계산급수치방법,득도료참규GaN보상도적해석모형함수θSi,재실온재류자농도3×1016～1018 cm-3범위내,해모형치여보편채용적실험의합치부합득교호,여기우Chin이론적보상도θChin야유흔호적상용성.해모형대GaN재료분석급기건적계산궤모의、기건방진유중요의의.
