功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
6期
635-639
,共5页
宋李梅%王文博%杜寰%夏洋
宋李梅%王文博%杜寰%夏洋
송리매%왕문박%두환%하양
RESURF%LDMOS%击穿电压
RESURF%LDMOS%擊穿電壓
RESURF%LDMOS%격천전압
讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.
討論瞭漂移區長度及註入濃度等關鍵參數對于漏結擊穿電壓的影響,併詳細分析瞭矩形版圖結構的LDMOS器件中,遠離溝道一側的漂移區阱長度對于擊穿特性的影響.分析瞭矩形版圖結構的LDMOS器件中,遠離溝道一側的漂移區阱長度對于擊穿特性的影響.運用RESURF技術對 于高壓LDMOS的漂移區進行設計和優化.研製齣耐壓170V的nLDMOSFET.併通過試驗結果證明瞭分析的正確性.
토론료표이구장도급주입농도등관건삼수대우루결격천전압적영향,병상세분석료구형판도결구적LDMOS기건중,원리구도일측적표이구정장도대우격천특성적영향.분석료구형판도결구적LDMOS기건중,원리구도일측적표이구정장도대우격천특성적영향.운용RESURF기술대 우고압LDMOS적표이구진행설계화우화.연제출내압170V적nLDMOSFET.병통과시험결과증명료분석적정학성.
