半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
3期
225-227
,共3页
郑巍峰%李金华%赵蒙%付学成
鄭巍峰%李金華%趙矇%付學成
정외봉%리금화%조몽%부학성
多孔SiO2薄膜%溶胶凝胶法%正硅酸乙酯%快速退火%热处理
多孔SiO2薄膜%溶膠凝膠法%正硅痠乙酯%快速退火%熱處理
다공SiO2박막%용효응효법%정규산을지%쾌속퇴화%열처리
以氨水、醋酸为催化剂,用正硅酸已酯(TEOS)为Si源,甘油作为防裂剂,聚乙烯醇(PVA1750)作为致缓剂和发泡荆,制作多孔SiO2薄膜.碱催化使得硅.羟基化合物的溶解度增大,并抑制了Si02的聚合,弱酸的二步催化使硅-羟基化合物聚合成10～100 nm的胶粒.丙三醇和TEOS水解的中间体Si(OC2H5)4-x(OH)x硅羟基形成氢键,抑制了硅-羟基化合物的聚沉,PVA的存在减缓了溶胶的聚合,在快速退火炉热处理时产生多孔结构.多孔SiO2的厚度在3μm内可调.
以氨水、醋痠為催化劑,用正硅痠已酯(TEOS)為Si源,甘油作為防裂劑,聚乙烯醇(PVA1750)作為緻緩劑和髮泡荊,製作多孔SiO2薄膜.堿催化使得硅.羥基化閤物的溶解度增大,併抑製瞭Si02的聚閤,弱痠的二步催化使硅-羥基化閤物聚閤成10～100 nm的膠粒.丙三醇和TEOS水解的中間體Si(OC2H5)4-x(OH)x硅羥基形成氫鍵,抑製瞭硅-羥基化閤物的聚沉,PVA的存在減緩瞭溶膠的聚閤,在快速退火爐熱處理時產生多孔結構.多孔SiO2的厚度在3μm內可調.
이안수、작산위최화제,용정규산이지(TEOS)위Si원,감유작위방렬제,취을희순(PVA1750)작위치완제화발포형,제작다공SiO2박막.감최화사득규.간기화합물적용해도증대,병억제료Si02적취합,약산적이보최화사규-간기화합물취합성10～100 nm적효립.병삼순화TEOS수해적중간체Si(OC2H5)4-x(OH)x규간기형성경건,억제료규-간기화합물적취침,PVA적존재감완료용효적취합,재쾌속퇴화로열처리시산생다공결구.다공SiO2적후도재3μm내가조.
