半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1067-1070
,共4页
张培%王加贤%王燕飞%郭亨群%吴志军
張培%王加賢%王燕飛%郭亨群%吳誌軍
장배%왕가현%왕연비%곽형군%오지군
nc-Ge/SiO2薄膜%光吸收%发光机制%与氧相关的缺陷%射频磁控反应溅射技术
nc-Ge/SiO2薄膜%光吸收%髮光機製%與氧相關的缺陷%射頻磁控反應濺射技術
nc-Ge/SiO2박막%광흡수%발광궤제%여양상관적결함%사빈자공반응천사기술
采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/siO2薄膜材料.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰.鼻膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强.室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光.而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制.
採用射頻磁控反應濺射技術和後退火法製備瞭nc-Ge/siO2薄膜材料.採用X射線衍射儀(XRD)對薄膜的微結構進行測試,隨著退火溫度的升高,衍射峰的半高寬減小,錶明Ge納米晶粒的平均呎吋逐漸增大,髮現經過1000℃退火後的薄膜具有三箇明顯的納米鍺衍射峰.鼻膜的傅裏葉紅外吸收譜錶明,隨著退火溫度的升高,薄膜的紅外吸收增彊.室溫下,測量瞭不同溫度退火下薄膜的光緻髮光譜,觀察到瞭紫外光、紫光和橙色光.而且不同退火溫度的薄膜,其光緻髮光譜有所不同,理論上著重討論瞭紫光和橙光的髮光機製.
채용사빈자공반응천사기술화후퇴화법제비료nc-Ge/siO2박막재료.채용X사선연사의(XRD)대박막적미결구진행측시,수착퇴화온도적승고,연사봉적반고관감소,표명Ge납미정립적평균척촌축점증대,발현경과1000℃퇴화후적박막구유삼개명현적납미타연사봉.비막적부리협홍외흡수보표명,수착퇴화온도적승고,박막적홍외흡수증강.실온하,측량료불동온도퇴화하박막적광치발광보,관찰도료자외광、자광화등색광.이차불동퇴화온도적박막,기광치발광보유소불동,이론상착중토론료자광화등광적발광궤제.
