中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2010年
12期
60-63,87
,共5页
CMOS工艺%低噪声放大器%噪声系数%ADS
CMOS工藝%低譟聲放大器%譟聲繫數%ADS
CMOS공예%저조성방대기%조성계수%ADS
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器(LNA).整个电路采用1.8 V单电源供电,输入输出匹配良好.用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明:在中心频率5.2 GHz处,噪声系数为2.51 dB,功率增益为17.373 dB.
採用TSMC 0.18μm CMOS工藝,設計應用于IEEE 802.11a的無線跼域網絡的低譟聲放大器(LNA).整箇電路採用1.8 V單電源供電,輸入輸齣匹配良好.用ADS模擬軟件對電路進行分析優化,結果錶明:在中心頻率5.2 GHz處,譟聲繫數為2.51 dB,功率增益為17.373 dB.
채용TSMC 0.18μm CMOS공예,설계응용우IEEE 802.11a적무선국역망락적저조성방대기(LNA).정개전로채용1.8 V단전원공전,수입수출필배량호.용ADS모의연건대전로진행분석우화,결과표명:재중심빈솔5.2 GHz처,조성계수위2.51 dB,공솔증익위17.373 dB.
