发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
2期
214-218
,共5页
柳文军%蔡少敏%谢红丝%曹培江%贾芳%朱德亮%马晓翠%吕有明
柳文軍%蔡少敏%謝紅絲%曹培江%賈芳%硃德亮%馬曉翠%呂有明
류문군%채소민%사홍사%조배강%가방%주덕량%마효취%려유명
ZnO薄膜%电沉积%择优取向
ZnO薄膜%電沉積%擇優取嚮
ZnO박막%전침적%택우취향
采用阴极电沉积法,在Zn(NO3)2水溶液中,以304不锈钢为衬底制备了ZnO薄膜,研究了Zn2+浓度和电流密度对ZnO薄膜择优取向的影响规律.XRD结果表明:随着Zn2+浓度和电流密度增大,ZnO薄膜逐渐由(002)面择优取向生长转变为(101)面择优取向生长;当Zn2+浓度为0.005 mol·L-1、电流密度为2.0 mA·cm-2或Zn2+浓度为0.05 mol·L-1、电流密度为0.5 mA·cm-2时,可以得到(002)面择优取向生长的ZnO薄膜;当Zn2+浓度为0.05 mol·L-1、电流密度为2.0 mA·cm-2时,可以得到(101)面择优取向生长的ZnO薄膜.根据二维晶核理论,通过分析不同生长条件下的过饱和度及其对ZnO的(002)型和(101)型二维晶核形核活化能的影响,对这一规律进行了解释.可见,通过改变Zn2+浓度和电流密度能够实现阴极电沉积ZnO薄膜的取向可控生长.
採用陰極電沉積法,在Zn(NO3)2水溶液中,以304不鏽鋼為襯底製備瞭ZnO薄膜,研究瞭Zn2+濃度和電流密度對ZnO薄膜擇優取嚮的影響規律.XRD結果錶明:隨著Zn2+濃度和電流密度增大,ZnO薄膜逐漸由(002)麵擇優取嚮生長轉變為(101)麵擇優取嚮生長;噹Zn2+濃度為0.005 mol·L-1、電流密度為2.0 mA·cm-2或Zn2+濃度為0.05 mol·L-1、電流密度為0.5 mA·cm-2時,可以得到(002)麵擇優取嚮生長的ZnO薄膜;噹Zn2+濃度為0.05 mol·L-1、電流密度為2.0 mA·cm-2時,可以得到(101)麵擇優取嚮生長的ZnO薄膜.根據二維晶覈理論,通過分析不同生長條件下的過飽和度及其對ZnO的(002)型和(101)型二維晶覈形覈活化能的影響,對這一規律進行瞭解釋.可見,通過改變Zn2+濃度和電流密度能夠實現陰極電沉積ZnO薄膜的取嚮可控生長.
채용음겁전침적법,재Zn(NO3)2수용액중,이304불수강위츤저제비료ZnO박막,연구료Zn2+농도화전류밀도대ZnO박막택우취향적영향규률.XRD결과표명:수착Zn2+농도화전류밀도증대,ZnO박막축점유(002)면택우취향생장전변위(101)면택우취향생장;당Zn2+농도위0.005 mol·L-1、전류밀도위2.0 mA·cm-2혹Zn2+농도위0.05 mol·L-1、전류밀도위0.5 mA·cm-2시,가이득도(002)면택우취향생장적ZnO박막;당Zn2+농도위0.05 mol·L-1、전류밀도위2.0 mA·cm-2시,가이득도(101)면택우취향생장적ZnO박막.근거이유정핵이론,통과분석불동생장조건하적과포화도급기대ZnO적(002)형화(101)형이유정핵형핵활화능적영향,대저일규률진행료해석.가견,통과개변Zn2+농도화전류밀도능구실현음겁전침적ZnO박막적취향가공생장.
