半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
6期
425-428,441
,共5页
黄林%陈向东%谢宁宁%李晓钰
黃林%陳嚮東%謝寧寧%李曉鈺
황림%진향동%사저저%리효옥
电容位移传感器%AD7150芯片%I2C%电容数字转换器%滤波电路
電容位移傳感器%AD7150芯片%I2C%電容數字轉換器%濾波電路
전용위이전감기%AD7150심편%I2C%전용수자전환기%려파전로
利用了集成芯片AD7150完成了对微位移电容传感器的电容采样.对AD7150芯片设计了相应的外接电路,为了增强电路的抗干扰能力,加入相应滤波电路；通过单片机模拟I2C通信方式来进行AD7150的读写控制.测量结果给出了10 pF以下不同标称电容值的电容,误差在2.5％以内.初步实验结果表明,当接入双叉电容传感器探头时,电容值随测量距离的增大而增加；在不同位移量下,传感器的灵敏度不同,距离越近,灵敏度越高,最大灵敏度为686 fF/mm,给出了不同情况下的灵敏度分布,并总结了影响电容传感器工作的电路要点.
利用瞭集成芯片AD7150完成瞭對微位移電容傳感器的電容採樣.對AD7150芯片設計瞭相應的外接電路,為瞭增彊電路的抗榦擾能力,加入相應濾波電路；通過單片機模擬I2C通信方式來進行AD7150的讀寫控製.測量結果給齣瞭10 pF以下不同標稱電容值的電容,誤差在2.5％以內.初步實驗結果錶明,噹接入雙扠電容傳感器探頭時,電容值隨測量距離的增大而增加；在不同位移量下,傳感器的靈敏度不同,距離越近,靈敏度越高,最大靈敏度為686 fF/mm,給齣瞭不同情況下的靈敏度分佈,併總結瞭影響電容傳感器工作的電路要點.
이용료집성심편AD7150완성료대미위이전용전감기적전용채양.대AD7150심편설계료상응적외접전로,위료증강전로적항간우능력,가입상응려파전로；통과단편궤모의I2C통신방식래진행AD7150적독사공제.측량결과급출료10 pF이하불동표칭전용치적전용,오차재2.5％이내.초보실험결과표명,당접입쌍차전용전감기탐두시,전용치수측량거리적증대이증가；재불동위이량하,전감기적령민도불동,거리월근,령민도월고,최대령민도위686 fF/mm,급출료불동정황하적령민도분포,병총결료영향전용전감기공작적전로요점.
