天津师范大学学报（自然科学版）
天津師範大學學報（自然科學版）
천진사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF TIANJIN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2012年
3期
28-32
,共5页
TiN%半金属元素掺杂%晶格常数%态密度%形成能
TiN%半金屬元素摻雜%晶格常數%態密度%形成能
TiN%반금속원소참잡%정격상수%태밀도%형성능
基于密度泛函数理论,采用广义梯度近似方法,对半金属元素原子X(X=B、Si、Ge、As、Sb和Te)掺杂TiN体系的平衡晶格常数和电子结构等进行第一性原理计算,并对掺杂前后的电子态分布变化和形成能进行分析计算.结果表明:掺杂体系中主要的电子贡献仍是N2p态和Ti3d态,随着半金属元素B、Si、Ge、As、Sb和Te的掺入,TiN掺杂体系的导电性能有所提高,但并未超过纯净TiN体系;同时由形成能的计算证明Si掺杂体系最容易达到稳定结构,而Te掺杂是最不稳定的体系.
基于密度汎函數理論,採用廣義梯度近似方法,對半金屬元素原子X(X=B、Si、Ge、As、Sb和Te)摻雜TiN體繫的平衡晶格常數和電子結構等進行第一性原理計算,併對摻雜前後的電子態分佈變化和形成能進行分析計算.結果錶明:摻雜體繫中主要的電子貢獻仍是N2p態和Ti3d態,隨著半金屬元素B、Si、Ge、As、Sb和Te的摻入,TiN摻雜體繫的導電性能有所提高,但併未超過純淨TiN體繫;同時由形成能的計算證明Si摻雜體繫最容易達到穩定結構,而Te摻雜是最不穩定的體繫.
기우밀도범함수이론,채용엄의제도근사방법,대반금속원소원자X(X=B、Si、Ge、As、Sb화Te)참잡TiN체계적평형정격상수화전자결구등진행제일성원리계산,병대참잡전후적전자태분포변화화형성능진행분석계산.결과표명:참잡체계중주요적전자공헌잉시N2p태화Ti3d태,수착반금속원소B、Si、Ge、As、Sb화Te적참입,TiN참잡체계적도전성능유소제고,단병미초과순정TiN체계;동시유형성능적계산증명Si참잡체계최용역체도은정결구,이Te참잡시최불은정적체계.
