半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
1999年
2期
108-110
,共3页
柳兆洪%王余姜%陈谋智%孙书农%刘瑞堂
柳兆洪%王餘薑%陳謀智%孫書農%劉瑞堂
류조홍%왕여강%진모지%손서농%류서당
半导体材料%掺铒硫化锌%交流电致发光%薄膜%介电常数%表面吸附
半導體材料%摻鉺硫化鋅%交流電緻髮光%薄膜%介電常數%錶麵吸附
반도체재료%참이류화자%교류전치발광%박막%개전상수%표면흡부
对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS) 及发光亮度测量.研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料,可进一步提高器件质量.
對研製的摻鉺硫化鋅交流電緻髮光薄膜,進行瞭錶麵的X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS) 及髮光亮度測量.研究認為薄膜多晶的沉積有擇優取嚮的趨勢,錶層碳、氧主要來源于吸附與玷汙,絕緣層選擇高介電常數、低電阻率的材料,可進一步提高器件質量.
대연제적참이류화자교류전치발광박막,진행료표면적X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS) 급발광량도측량.연구인위박막다정적침적유택우취향적추세,표층탄、양주요래원우흡부여점오,절연층선택고개전상수、저전조솔적재료,가진일보제고기건질량.
