微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
6期
485-489
,共5页
殷华湘%王云翔%刘明%徐秋霞
慇華湘%王雲翔%劉明%徐鞦霞
은화상%왕운상%류명%서추하
半导体工艺%光刻%电子束直写%正性抗蚀剂%曝光延迟效应%凹槽图形
半導體工藝%光刻%電子束直寫%正性抗蝕劑%曝光延遲效應%凹槽圖形
반도체공예%광각%전자속직사%정성항식제%폭광연지효응%요조도형
为了在体硅CMOS FinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系;特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法.采用最终的优化工艺条件,得到了合适的图形效果.
為瞭在體硅CMOS FinFET中用等離子體腐蝕精細凹槽圖形,研究瞭將電子束直寫曝光用于原為深紫外光學曝光的UV3正性抗蝕劑的工藝技術;詳細分析瞭包括膜厚、曝光能量、曝光劑量、顯影時間、設計呎吋和襯底材料等在內的各類工藝參數與實際曝光圖形效果的關繫;特彆指齣瞭曝光過程中特有的延遲效應及解決辦法.採用最終的優化工藝條件,得到瞭閤適的圖形效果.
위료재체규CMOS FinFET중용등리자체부식정세요조도형,연구료장전자속직사폭광용우원위심자외광학폭광적UV3정성항식제적공예기술;상세분석료포괄막후、폭광능량、폭광제량、현영시간、설계척촌화츤저재료등재내적각류공예삼수여실제폭광도형효과적관계;특별지출료폭광과정중특유적연지효응급해결판법.채용최종적우화공예조건,득도료합괄적도형효과.
