材料科学与工艺
材料科學與工藝
재료과학여공예
MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
2004年
1期
52-56
,共5页
迟广俊%姚素薇%范君%张卫国%王宏智%任光勋
遲廣俊%姚素薇%範君%張衛國%王宏智%任光勛
지엄준%요소미%범군%장위국%왕굉지%임광훈
电沉积%复合镀层%TiO2%抗菌功能%光催化
電沉積%複閤鍍層%TiO2%抗菌功能%光催化
전침적%복합도층%TiO2%항균공능%광최화
为了研究TiO2在镀层中的光催化抗菌活性,以不锈钢为基体,制备了Ni/TiO2光催化抗菌功能性复合镀层,测定了镀层中TiO2微粒的复合量,考察了Ni/TiO2电极的光催化析氢性能,利用ESEM观察了镀层的表面形貌,并探讨了半导体TiO2光催化杀灭细菌的机理.研究表明:当镀层中TiO2复合量达到21.98%时,Ni/TiO2复合镀层对大肠杆菌、绿脓杆菌、粪链球菌和金黄色葡萄球菌的抗菌率均大于95%;在光照射下,Ni/TiO2电极阴极析氢反应的起始电位正移了约200mV.
為瞭研究TiO2在鍍層中的光催化抗菌活性,以不鏽鋼為基體,製備瞭Ni/TiO2光催化抗菌功能性複閤鍍層,測定瞭鍍層中TiO2微粒的複閤量,攷察瞭Ni/TiO2電極的光催化析氫性能,利用ESEM觀察瞭鍍層的錶麵形貌,併探討瞭半導體TiO2光催化殺滅細菌的機理.研究錶明:噹鍍層中TiO2複閤量達到21.98%時,Ni/TiO2複閤鍍層對大腸桿菌、綠膿桿菌、糞鏈毬菌和金黃色葡萄毬菌的抗菌率均大于95%;在光照射下,Ni/TiO2電極陰極析氫反應的起始電位正移瞭約200mV.
위료연구TiO2재도층중적광최화항균활성,이불수강위기체,제비료Ni/TiO2광최화항균공능성복합도층,측정료도층중TiO2미립적복합량,고찰료Ni/TiO2전겁적광최화석경성능,이용ESEM관찰료도층적표면형모,병탐토료반도체TiO2광최화살멸세균적궤리.연구표명:당도층중TiO2복합량체도21.98%시,Ni/TiO2복합도층대대장간균、록농간균、분련구균화금황색포도구균적항균솔균대우95%;재광조사하,Ni/TiO2전겁음겁석경반응적기시전위정이료약200mV.
