低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜
저온쾌속열퇴화정화제비다정규박막
Preparing polycrystalline silion thin film by rapid thermal annealing(RTA) at lower temperature
  • 万方数据
    可再生能源 가재생능원
    RENEWABLE ENERGY
    2006年 3期 13-15 ,共3页

    王红娟%卢景霄%刘萍%王生钊%张宇翔%张丽伟%陈永生

    왕홍연%로경소%류평%왕생쇠%장우상%장려위%진영생

    快速热退火%非晶硅薄膜%暗电导 快速熱退火%非晶硅薄膜%暗電導
    쾌속열퇴화%비정규박막%암전도
    利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火.利用X射线衍射仪(XRD)分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率.研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化.
    이용PECVD설비침적비정규박막,연후방입특제적쾌속열퇴화로중진행퇴화.이용X사선연사의(XRD)분석퇴화후적박막정체결구,용전도솔측시의측시기암전도솔.연구결과표명,이용쾌속열퇴화정화능구사비정규박막재교저온도하,재교단시간내발생정화.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문