电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
7期
37-39
,共3页
潘德芳%苑进社%秦国平%刘颖丹
潘德芳%苑進社%秦國平%劉穎丹
반덕방%원진사%진국평%류영단
类金刚石薄膜(DLC)%PECVD法%薄膜结构%表面形貌
類金剛石薄膜(DLC)%PECVD法%薄膜結構%錶麵形貌
류금강석박막(DLC)%PECVD법%박막결구%표면형모
以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜.利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征.结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非晶态碳膜,其表面均匀、光滑,致密;且随着射频功率的提高,薄膜的平均晶粒直径由8.0 nm降为4.2 am,粗糙度由2.2 nm减为0.9 nm.
以CH4為碳源,Ar氣為載氣,採用等離子體增彊化學氣相沉積法(PECVD)在硅(100)襯底上製備瞭類金剛石(DLC)薄膜.利用拉曼(Raman)光譜儀與原子力顯微鏡(AFM)對其結構與錶麵形貌進行瞭錶徵.結果錶明:所製備的DLC薄膜是含sp3和sp2混閤鍵的非晶態碳膜,其錶麵均勻、光滑,緻密;且隨著射頻功率的提高,薄膜的平均晶粒直徑由8.0 nm降為4.2 am,粗糙度由2.2 nm減為0.9 nm.
이CH4위탄원,Ar기위재기,채용등리자체증강화학기상침적법(PECVD)재규(100)츤저상제비료류금강석(DLC)박막.이용랍만(Raman)광보의여원자력현미경(AFM)대기결구여표면형모진행료표정.결과표명:소제비적DLC박막시함sp3화sp2혼합건적비정태탄막,기표면균균、광활,치밀;차수착사빈공솔적제고,박막적평균정립직경유8.0 nm강위4.2 am,조조도유2.2 nm감위0.9 nm.
