微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
2期
79-86
,共8页
颜伟%韩伟华%张仁平%杜彦东%杨富华
顏偉%韓偉華%張仁平%杜彥東%楊富華
안위%한위화%장인평%두언동%양부화
GaN%高电子迁移率晶体管%AlGaN%微波晶体管%功率
GaN%高電子遷移率晶體管%AlGaN%微波晶體管%功率
GaN%고전자천이솔정체관%AlGaN%미파정체관%공솔
首先论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响AlGaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高AI-GaN/GaN HEMT的频率和功率性能,需改善寄生电阻、电容、栅长和击穿电压等参数.然后,着重从材料结构和器件工艺的角度阐述了近年来AlGaN/GaN HEMT的研究进展,详细归纳了目前主要的材料生长和器件制作工艺,可以看出基本的工艺思路是尽量提高材料二维电子气的浓度和材料对二维电子气的限制能力的同时减小器件的寄生电容和电阻,增强栅极对沟道的控制能力.另外,根据具体情况调节栅长及沟道电场.最后,简要探讨了AlGaN/GaN HEMT还存在的问题以及面临的挑战.
首先論述瞭AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)在微波大功率領域的應用優勢和潛力;其次,介紹併分析瞭影響AlGaN/GaN HEMT性能的主要參數,分析錶明要提高AI-GaN/GaN HEMT的頻率和功率性能,需改善寄生電阻、電容、柵長和擊穿電壓等參數.然後,著重從材料結構和器件工藝的角度闡述瞭近年來AlGaN/GaN HEMT的研究進展,詳細歸納瞭目前主要的材料生長和器件製作工藝,可以看齣基本的工藝思路是儘量提高材料二維電子氣的濃度和材料對二維電子氣的限製能力的同時減小器件的寄生電容和電阻,增彊柵極對溝道的控製能力.另外,根據具體情況調節柵長及溝道電場.最後,簡要探討瞭AlGaN/GaN HEMT還存在的問題以及麵臨的挑戰.
수선논술료AlGaN/GaN고전자천이솔정체관(HEMT)재미파대공솔영역적응용우세화잠력;기차,개소병분석료영향AlGaN/GaN HEMT성능적주요삼수,분석표명요제고AI-GaN/GaN HEMT적빈솔화공솔성능,수개선기생전조、전용、책장화격천전압등삼수.연후,착중종재료결구화기건공예적각도천술료근년래AlGaN/GaN HEMT적연구진전,상세귀납료목전주요적재료생장화기건제작공예,가이간출기본적공예사로시진량제고재료이유전자기적농도화재료대이유전자기적한제능력적동시감소기건적기생전용화전조,증강책겁대구도적공제능력.령외,근거구체정황조절책장급구도전장.최후,간요탐토료AlGaN/GaN HEMT환존재적문제이급면림적도전.
