电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2011年
2期
312-316
,共5页
器件仿真%栅隧穿电流模型%栅氧化层%积分法%小尺寸器件
器件倣真%柵隧穿電流模型%柵氧化層%積分法%小呎吋器件
기건방진%책수천전류모형%책양화층%적분법%소척촌기건
针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势.使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合.
針對具有超薄氧化層的MOS器件,使用積分方法,提齣瞭一箇新的柵隧穿電流與氧化層厚度關繫的理論預測模型,在此基礎上使用HSPICE對MOS器件的特性進行瞭詳細的研究,併定量分析瞭器件的工作情況,預測瞭在柵隧穿電流的影響下小呎吋器件的特性變化趨勢.使用BSIM 4模型進行倣真的結果與所提齣的理論模型相符閤.
침대구유초박양화층적MOS기건,사용적분방법,제출료일개신적책수천전류여양화층후도관계적이론예측모형,재차기출상사용HSPICE대MOS기건적특성진행료상세적연구,병정량분석료기건적공작정황,예측료재책수천전류적영향하소척촌기건적특성변화추세.사용BSIM 4모형진행방진적결과여소제출적이론모형상부합.
