热加工工艺
熱加工工藝
열가공공예
HOT WORKING TECHNOLOGY
2011年
12期
74-76
,共3页
江跃珍%段兴凯%宗崇文%侯文龙
江躍珍%段興凱%宗崇文%侯文龍
강약진%단흥개%종숭문%후문룡
真空熔炼%热蒸发%Sn掺杂%薄膜%热电性能
真空鎔煉%熱蒸髮%Sn摻雜%薄膜%熱電性能
진공용련%열증발%Sn참잡%박막%열전성능
采用真空熔炼法合成(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800nm的Sn掺杂Bi<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>热电薄膜.利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数:采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>薄膜热电性进行分析.结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8μW/K<'2>·cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小.
採用真空鎔煉法閤成(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>閤金,再通過熱蒸髮技術在473K玻璃基體上沉積瞭厚800nm的Sn摻雜Bi<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>熱電薄膜.利用X射線衍射技術對薄膜的相結構進行錶徵;採用錶麵粗糙度測量儀測定薄膜厚度;採用四探針法和溫差電動勢法分彆測量薄膜的電阻率和Seebeck繫數:採用薄膜的電阻率和Seebeck繫數Sn摻雜濃度對(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>薄膜熱電性進行分析.結果錶明,Sn摻雜濃度為0.003時,熱電功率因子提高到12.8μW/K<'2>·cm;Sn摻雜濃度從0.004增加到0.01,薄膜為P型半導體,熱電功率因子減小.
채용진공용련법합성(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>합금,재통과열증발기술재473K파리기체상침적료후800nm적Sn참잡Bi<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>열전박막.이용X사선연사기술대박막적상결구진행표정;채용표면조조도측량의측정박막후도;채용사탐침법화온차전동세법분별측량박막적전조솔화Seebeck계수:채용박막적전조솔화Seebeck계수Sn참잡농도대(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>박막열전성진행분석.결과표명,Sn참잡농도위0.003시,열전공솔인자제고도12.8μW/K<'2>·cm;Sn참잡농도종0.004증가도0.01,박막위P형반도체,열전공솔인자감소.
