固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
5期
483-488
,共6页
彭仁国%吴琦%张成%谈熙%闵昊
彭仁國%吳琦%張成%談熙%閔昊
팽인국%오기%장성%담희%민호
宽带压控振荡器%反型金属氧化物半导体电容%差分调谐%Kvco%相噪%子带频率间隔
寬帶壓控振盪器%反型金屬氧化物半導體電容%差分調諧%Kvco%相譟%子帶頻率間隔
관대압공진탕기%반형금속양화물반도체전용%차분조해%Kvco%상조%자대빈솔간격
通过对SMIC 0.13 μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82～4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO).测试结果显示,频率覆盖范围为2.82～4.04 GHz,子带间距变化从12～6.9 MHz,中心差分调谐增益从23～17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113～-118 dBc/Hz.
通過對SMIC 0.13 μm CMOS工藝的反型MOS電容的特性研究與測試驗證,實現瞭一箇2.82～4.04GHz的低調諧增益變化、低子帶頻率間隔變化、差分調諧寬帶電感電容壓控振盪器(LC VCO).測試結果顯示,頻率覆蓋範圍為2.82～4.04 GHz,子帶間距變化從12～6.9 MHz,中心差分調諧增益從23～17 MHz/V,相位譟聲在頻偏1 MHz處為-113～-118 dBc/Hz.
통과대SMIC 0.13 μm CMOS공예적반형MOS전용적특성연구여측시험증,실현료일개2.82～4.04GHz적저조해증익변화、저자대빈솔간격변화、차분조해관대전감전용압공진탕기(LC VCO).측시결과현시,빈솔복개범위위2.82～4.04 GHz,자대간거변화종12～6.9 MHz,중심차분조해증익종23～17 MHz/V,상위조성재빈편1 MHz처위-113～-118 dBc/Hz.
