半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
102-105
,共4页
张源涛%朱慧超%崔勇国%张宝林%杨树人%杜国同
張源濤%硃慧超%崔勇國%張寶林%楊樹人%杜國同
장원도%주혜초%최용국%장보림%양수인%두국동
金属有机化学气相沉积%MgZnO合金薄膜%Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
金屬有機化學氣相沉積%MgZnO閤金薄膜%Ⅱ-Ⅵ族半導體材料
금속유궤화학기상침적%MgZnO합금박막%Ⅱ-Ⅵ족반도체재료
采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等于0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3～3.95eV之间调节.
採用金屬有機化學氣相沉積方法在C麵藍寶石襯底上生長MgxZn1-xO閤金薄膜.c軸取嚮的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃溫度下沉積.通過X射線衍射和透射光譜研究瞭薄膜的結構和光學特性.研究錶明噹x的取值小于等于0.39時,閤金薄膜保持ZnO的六角形纖鋅礦結構,沒有觀察到MgO分相,此時薄膜的能帶寬度可以在3.3～3.95eV之間調節.
채용금속유궤화학기상침적방법재C면람보석츤저상생장MgxZn1-xO합금박막.c축취향적MgxZn1-xO박막재600.～630℃온도하침적.통과X사선연사화투사광보연구료박막적결구화광학특성.연구표명당x적취치소우등우0.39시,합금박막보지ZnO적륙각형섬자광결구,몰유관찰도MgO분상,차시박막적능대관도가이재3.3～3.95eV지간조절.
