稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2010年
7期
1260-1264
,共5页
罗岚%熊志华%周耐根%周浪
囉嵐%熊誌華%週耐根%週浪
라람%웅지화%주내근%주랑
组合材料芯片技术%钆铝酸盐%发光%离子束溅射
組閤材料芯片技術%釓鋁痠鹽%髮光%離子束濺射
조합재료심편기술%구려산염%발광%리자속천사
将组合材料芯片技术用于Gd1-xAly:Eux荧光材料的研究.通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制各Gd1-xAly:Eux梯度组合材料芯片.通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-A12O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成.紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAly:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5Do-7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相.材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致.
將組閤材料芯片技術用于Gd1-xAly:Eux熒光材料的研究.通過離子束濺射沉積和兩步熱處理技術製各Gd1-xAly:Eux梯度組閤材料芯片.通過X射線衍射和掃描電鏡二次電子像分析髮現:根據釓鋁配比的不同在組閤材料芯片上形成瞭相應的釓鋁痠鹽晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作為Gd2O3-A12O3中的穩定晶體相,其單相多晶薄膜較容易形成.紫外激髮髮光照相記錄錶明Gd1-xAly:Eux可以髮射明亮的紅色熒光(Eu3+的5Do-7F2髮射,主峰值615nm),且對于Eu3+摻雜,GAP是最好的釓鋁痠鹽基體相.材料芯片的照相篩選結果和髮射光譜、吸收光譜的分析結果一緻.
장조합재료심편기술용우Gd1-xAly:Eux형광재료적연구.통과리자속천사침적화량보열처리기술제각Gd1-xAly:Eux제도조합재료심편.통과X사선연사화소묘전경이차전자상분석발현:근거구려배비적불동재조합재료심편상형성료상응적구려산염정상;Gd4Al2O9(GAM)화GdAlO3(GAP)작위Gd2O3-A12O3중적은정정체상,기단상다정박막교용역형성.자외격발발광조상기록표명Gd1-xAly:Eux가이발사명량적홍색형광(Eu3+적5Do-7F2발사,주봉치615nm),차대우Eu3+참잡,GAP시최호적구려산염기체상.재료심편적조상사선결과화발사광보、흡수광보적분석결과일치.