半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
144-147
,共4页
任国栋%王永顺%汪再兴%王道斌%冯有才%武钢
任國棟%王永順%汪再興%王道斌%馮有纔%武鋼
임국동%왕영순%왕재흥%왕도빈%풍유재%무강
阱电容%反偏二极管%前馈电容%低压差线性稳压器%带宽
阱電容%反偏二極管%前饋電容%低壓差線性穩壓器%帶寬
정전용%반편이겁관%전궤전용%저압차선성은압기%대관
LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛.在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择.基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO.采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案.为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统.实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电.
LDO具有高的紋波抑製和低譟聲特點,在低輸入輸齣壓差以及RF領域應用廣汎.在負載電流變化範圍大的情況下,動態補償成為必然選擇.基于CSMC 0.5μm CMOS工藝,設計瞭一種利用MOS柵源電容實現動態補償的LDO.採用反偏二極管模擬瞭寄生阱電容對繫統穩定性的影響,併提齣減小繫統帶寬、優化繫統穩定性的方案.為瞭實現快速動態響應,設計前饋電容優化瞭繫統.實驗錶明,設計的電路具有高PSRR和快速響應能力,適用于便攜式設備供電.
LDO구유고적문파억제화저조성특점,재저수입수출압차이급RF영역응용엄범.재부재전류변화범위대적정황하,동태보상성위필연선택.기우CSMC 0.5μm CMOS공예,설계료일충이용MOS책원전용실현동태보상적LDO.채용반편이겁관모의료기생정전용대계통은정성적영향,병제출감소계통대관、우화계통은정성적방안.위료실현쾌속동태향응,설계전궤전용우화료계통.실험표명,설계적전로구유고PSRR화쾌속향응능력,괄용우편휴식설비공전.
