fmax=325GHz的多指共基极InGaAs/InP DHBT
fmax=325GHz적다지공기겁InGaAs/InP DHBT
Common-base Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with fmax of 325 GHz
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2011年 5期 前插2 ,共1页

    程伟%赵岩%王元%陆海燕%高汉超%陈辰%杨乃彬

    정위%조암%왕원%륙해연%고한초%진신%양내빈





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