电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
10期
24-27
,共4页
王胜%黄伟%张树丹%许居衍
王勝%黃偉%張樹丹%許居衍
왕성%황위%장수단%허거연
Ni(W)Si%肖特基势垒二极管%XRD%Raman光谱%快速热退火
Ni(W)Si%肖特基勢壘二極管%XRD%Raman光譜%快速熱退火
Ni(W)Si%초특기세루이겁관%XRD%Raman광보%쾌속열퇴화
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃.Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1.
文中首次提齣在Ni中摻入夾層W的方法來提高NiSi的熱穩定性.具有此結構的薄膜,經600℃～800℃快速熱退火後,薄層電阻保持較低值,小于2Ω/□.經Raman光譜分析錶明,薄膜中隻存在NiSi相,而沒有NiSi2生成.Ni(W)Si的薄層電阻由低阻轉變為高阻的溫度在800℃以上,比沒有摻W的鎳硅化物的轉變溫度的上限提高瞭100℃.Ni(W)Si/Si肖特基勢壘二極管能夠經受650℃～800℃不同溫度的快速熱退火,肖特基接觸特性良好,肖特基勢壘高度為0.65eV,理想因子接近于1.
문중수차제출재Ni중참입협층W적방법래제고NiSi적열은정성.구유차결구적박막,경600℃～800℃쾌속열퇴화후,박층전조보지교저치,소우2Ω/□.경Raman광보분석표명,박막중지존재NiSi상,이몰유NiSi2생성.Ni(W)Si적박층전조유저조전변위고조적온도재800℃이상,비몰유참W적얼규화물적전변온도적상한제고료100℃.Ni(W)Si/Si초특기세루이겁관능구경수650℃～800℃불동온도적쾌속열퇴화,초특기접촉특성량호,초특기세루고도위0.65eV,이상인자접근우1.
