电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2008年
10期
43-45,55
,共4页
周国安%柳滨%王学军%种宝春
週國安%柳濱%王學軍%種寶春
주국안%류빈%왕학군%충보춘
铜%化学机械平坦化%钽%碟形缺陷%侵蚀
銅%化學機械平坦化%鐽%碟形缺陷%侵蝕
동%화학궤계평탄화%단%설형결함%침식
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程:在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性.分析100 μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大.整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大.最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大.
分析瞭銅電連接在今後晶片製造中的主導作用,闡述瞭銅佈線的結構,即在由鐽作為阻擋層及採用電鍍銅形成的電連接的情況下,拋光規律符閤經典普萊斯頓方程:在粗拋磨料採用氧化鋁,精拋配比採用武亞紅提齣的方案情況下,採用鏇轉式低速較大下壓力情況下拋光,整箇晶片依然存在較大的不均勻性.分析100 μm線寬的碟形缺陷會逐漸減小但最後會有少許增大.整箇晶片的侵蝕會和其圖案密度成正比,但在同種分佈情況下,精拋時間越長,則侵蝕缺陷越大.最後指齣瞭今後髮展的高速底壓力會顯著解決噹前不均勻性問題,但失效機製分析意義依然很重大.
분석료동전련접재금후정편제조중적주도작용,천술료동포선적결구,즉재유단작위조당층급채용전도동형성적전련접적정황하,포광규률부합경전보래사돈방정:재조포마료채용양화려,정포배비채용무아홍제출적방안정황하,채용선전식저속교대하압력정황하포광,정개정편의연존재교대적불균균성.분석100 μm선관적설형결함회축점감소단최후회유소허증대.정개정편적침식회화기도안밀도성정비,단재동충분포정황하,정포시간월장,칙침식결함월대.최후지출료금후발전적고속저압력회현저해결당전불균균성문제,단실효궤제분석의의의연흔중대.
