短波长OEIC光接收机前端设计及制作
단파장OEIC광접수궤전단설계급제작
Design and Fabrication of Short Wavelength Monolithically Integrated Optical Receiver Front End
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2008年 5期 713-717 ,共5页

    范超%陈堂胜%陈辰%焦世龙%陈镇龙%刘霖%王昱琳%叶玉堂

    범초%진당성%진신%초세룡%진진룡%류림%왕욱림%협옥당

    光电集成电路%光接收机前端%PIN%金属-半导体-金属%跨阻放大器%分布参数放大器 光電集成電路%光接收機前耑%PIN%金屬-半導體-金屬%跨阻放大器%分佈參數放大器
    광전집성전로%광접수궤전단%PIN%금속-반도체-금속%과조방대기%분포삼수방대기
    基于国内的材料和工艺技术,研制出850 nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等.对光探测器和电路分别进行了研究和优化.通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5 dB之间.跨阻前置放大器-3 dB带宽接近10 GHz,跨阻增益约43 dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5 dB之间.集成芯片最高工作速率达到5 Gb/s.
    기우국내적재료화공예기술,연제출850 nm단편집성광접수궤전단,집성형식포괄PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA화MSM/DA등.대광탐측기화전로분별진행료연구화우화.통과Silvaco연건,건립료탐측기기건모형,병통과실험수거험증.분포방대기-3 dB대관접근20 GHz,과조증익약46 dBΩ,수입、수출주파비균소우2,조성계수재3.03～6.5 dB지간.과조전치방대기-3 dB대관접근10 GHz,과조증익약43 dBΩ,수입、수출주파비균소우3.5,조성계수재4～6.5 dB지간.집성심편최고공작속솔체도5 Gb/s.
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