半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
789-792
,共4页
岑龙斌%桑立雯%周绪荣%秦志新%张国义
岑龍斌%桑立雯%週緒榮%秦誌新%張國義
잠룡빈%상립문%주서영%진지신%장국의
AlGaN%紫外光探测器%肖特基接触
AlGaN%紫外光探測器%肖特基接觸
AlGaN%자외광탐측기%초특기접촉
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AlN插入层,成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN (0.22<x<0.28)材料.研究并优化了AlxGa1-xN材料上的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni基肖特基接触的形成条件.20nm/150nm/20nm/200nm的Ti/Al/Ni/Au金属层在N2氛围中,700℃下,快速热退火处理120s后,其欧姆接触的比接触电阻率为3.13×10-5Ω·cm2 .研究表明, 当AlxGa1-xN 材料中Al组分x>0.20时,其上Ni基肖特基势垒高度几乎是不变的.在O2氛围中,300℃下,对AlxGa1-xN 材料上10nm厚的金属Ni层氧化90s,得到了此Ni层在314nm的透射率由57.5%提高到78.2%.在器件的光电流谱测量中,得到了器件最短的截止波长为307nm,紫外/可见光达到103以上.
通過在GaN緩遲層上先生長一層20nm厚的AlN插入層,成功地在此插入層上生長齣瞭200nm厚的AlxGa1-xN (0.22<x<0.28)材料.研究併優化瞭AlxGa1-xN材料上的Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸和Ni基肖特基接觸的形成條件.20nm/150nm/20nm/200nm的Ti/Al/Ni/Au金屬層在N2氛圍中,700℃下,快速熱退火處理120s後,其歐姆接觸的比接觸電阻率為3.13×10-5Ω·cm2 .研究錶明, 噹AlxGa1-xN 材料中Al組分x>0.20時,其上Ni基肖特基勢壘高度幾乎是不變的.在O2氛圍中,300℃下,對AlxGa1-xN 材料上10nm厚的金屬Ni層氧化90s,得到瞭此Ni層在314nm的透射率由57.5%提高到78.2%.在器件的光電流譜測量中,得到瞭器件最短的截止波長為307nm,紫外/可見光達到103以上.
통과재GaN완충층상선생장일층20nm후적AlN삽입층,성공지재차삽입층상생장출료200nm후적AlxGa1-xN (0.22<x<0.28)재료.연구병우화료AlxGa1-xN재료상적Ti/Al/Ni/Au구모접촉화Ni기초특기접촉적형성조건.20nm/150nm/20nm/200nm적Ti/Al/Ni/Au금속층재N2분위중,700℃하,쾌속열퇴화처리120s후,기구모접촉적비접촉전조솔위3.13×10-5Ω·cm2 .연구표명, 당AlxGa1-xN 재료중Al조분x>0.20시,기상Ni기초특기세루고도궤호시불변적.재O2분위중,300℃하,대AlxGa1-xN 재료상10nm후적금속Ni층양화90s,득도료차Ni층재314nm적투사솔유57.5%제고도78.2%.재기건적광전류보측량중,득도료기건최단적절지파장위307nm,자외/가견광체도103이상.
