半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
238-240
,共3页
于广辉%雷本亮%孟胜%王新中%林朝通%齐鸣
于廣輝%雷本亮%孟勝%王新中%林朝通%齊鳴
우엄휘%뢰본량%맹성%왕신중%림조통%제명
氮化镓%氢化物气相外延%低温氮化铝插入层
氮化鎵%氫化物氣相外延%低溫氮化鋁插入層
담화가%경화물기상외연%저온담화려삽입층
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
研究瞭採用低溫氮化鋁(LT-AlN)插入層的厚膜GaN的氫化物氣相外延生長(HVPE),併比較瞭7nm厚的LT-AlN插入層在經過不同退火時間後對GaN膜生長的影響.結果錶明,退火後的LT-AlN插入層錶麵形貌髮生很大變化.在一定的退火條件下,AlN插入層能有效地改善HVPE生長的GaN外延層的結晶質量.
연구료채용저온담화려(LT-AlN)삽입층적후막GaN적경화물기상외연생장(HVPE),병비교료7nm후적LT-AlN삽입층재경과불동퇴화시간후대GaN막생장적영향.결과표명,퇴화후적LT-AlN삽입층표면형모발생흔대변화.재일정적퇴화조건하,AlN삽입층능유효지개선HVPE생장적GaN외연층적결정질량.
