半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
5期
617-622
,共6页
InGaAs/InP%SAGCM-APD%器件模型%数值模拟%器件特性
InGaAs/InP%SAGCM-APD%器件模型%數值模擬%器件特性
InGaAs/InP%SAGCM-APD%기건모형%수치모의%기건특성
基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果.模拟结果与实际器件特性测量结果相符合,表明运用该模型与数值模拟方法可对不同结构参数的InGaAs/InP SAGCM-APD进行结构设计、工艺改进和特性分析.
基于泊鬆方程和載流子連續性方程,導齣瞭InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、漸變、電荷、倍增層分離結構雪崩光電二極管)特性的數學模型,利用數值計算工具對其進行瞭數值模擬,得到瞭APD內部電場分佈、增益特性、暗電流特性、過剩譟聲和增益帶寬特性等的數值結果.模擬結果與實際器件特性測量結果相符閤,錶明運用該模型與數值模擬方法可對不同結構參數的InGaAs/InP SAGCM-APD進行結構設計、工藝改進和特性分析.
기우박송방정화재류자련속성방정,도출료InGaAs/InP SAGCM-APD(흡수、점변、전하、배증층분리결구설붕광전이겁관)특성적수학모형,이용수치계산공구대기진행료수치모의,득도료APD내부전장분포、증익특성、암전류특성、과잉조성화증익대관특성등적수치결과.모의결과여실제기건특성측량결과상부합,표명운용해모형여수치모의방법가대불동결구삼수적InGaAs/InP SAGCM-APD진행결구설계、공예개진화특성분석.
