半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
337-340
,共4页
邵乐喜%付玉军%张军%贺德衍
邵樂喜%付玉軍%張軍%賀德衍
소악희%부옥군%장군%하덕연
Cu2ZnSnS4%真空蒸镀%硫化%太阳电池刎
Cu2ZnSnS4%真空蒸鍍%硫化%太暘電池刎
Cu2ZnSnS4%진공증도%류화%태양전지문
采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.
採用真空蒸鍍技術在鈉鈣玻璃襯底上蒸鍍Cu/Sn/ZnS前驅體,在氮氣保護下,硫化製備瞭Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.運用X射線衍射儀(XRD)、Hall效應測試儀、紫外-可見光(UV-VIS)分光光度計對樣品進行瞭錶徵分析,研究瞭前驅體中預計原子比對CZTS薄膜的晶體結構及光電特性的依賴關繫.通過對蒸髮源Cu的質量的控製與微調,穫得瞭具有單一相類黝錫礦結構的CZTS薄膜,其對可見光的光吸收繫數大于104cm-1、光學禁帶寬度約為1.51eV,薄膜的電阻率、載流子遷移率和載流子濃度分彆為1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,適閤作為薄膜太暘電池的吸收層.
채용진공증도기술재납개파리츤저상증도Cu/Sn/ZnS전구체,재담기보호하,류화제비료Cu2ZnSnS4(CZTS)박막.운용X사선연사의(XRD)、Hall효응측시의、자외-가견광(UV-VIS)분광광도계대양품진행료표정분석,연구료전구체중예계원자비대CZTS박막적정체결구급광전특성적의뢰관계.통과대증발원Cu적질량적공제여미조,획득료구유단일상류유석광결구적CZTS박막,기대가견광적광흡수계수대우104cm-1、광학금대관도약위1.51eV,박막적전조솔、재류자천이솔화재류자농도분별위1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)화2.37×1018cm-3,괄합작위박막태양전지적흡수층.
