北京大学学报(自然科学版)
北京大學學報(自然科學版)
북경대학학보(자연과학판)
ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS
2007年
5期
659-663
,共5页
刘丹%鲁文高%陈中建%吉利久%赵宝瑛
劉丹%魯文高%陳中建%吉利久%趙寶瑛
류단%로문고%진중건%길리구%조보영
红外读出电路%低功耗%四像素共用BDI结构
紅外讀齣電路%低功耗%四像素共用BDI結構
홍외독출전로%저공모%사상소공용BDI결구
提出了一种新型红外读出电路的像素结构--四像素共用BDI结构(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI).在这种电路结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器.在开关的控制下,像素可以实现积分然后读出(ITR)和积分同时读出(IWR)功能.在30 μm×30 μm的像素面积中,实现了略大于0.9 pF的电容和4.2 pC的电荷存储能力,平均功耗只有500 nW.在实现低功耗的同时,该结构使像素级的固定模式噪声(FPN)只来源于局部的失配,与整个像素阵列的失配无关,从而使得这种像素结构非常适用于大规模2-D 读出电路(Readout IC:ROIC).后续的版图设计以及后仿真也表明这种像素结构是一种非常实用的像素结构.基于该结构的128×128的测试芯片已经设计完成,将在0.5 μm工艺下进行流片测试.
提齣瞭一種新型紅外讀齣電路的像素結構--四像素共用BDI結構(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI).在這種電路結構中,4箇相鄰的像素共用一箇反饋放大器.在開關的控製下,像素可以實現積分然後讀齣(ITR)和積分同時讀齣(IWR)功能.在30 μm×30 μm的像素麵積中,實現瞭略大于0.9 pF的電容和4.2 pC的電荷存儲能力,平均功耗隻有500 nW.在實現低功耗的同時,該結構使像素級的固定模式譟聲(FPN)隻來源于跼部的失配,與整箇像素陣列的失配無關,從而使得這種像素結構非常適用于大規模2-D 讀齣電路(Readout IC:ROIC).後續的版圖設計以及後倣真也錶明這種像素結構是一種非常實用的像素結構.基于該結構的128×128的測試芯片已經設計完成,將在0.5 μm工藝下進行流片測試.
제출료일충신형홍외독출전로적상소결구--사상소공용BDI결구(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI).재저충전로결구중,4개상린적상소공용일개반궤방대기.재개관적공제하,상소가이실현적분연후독출(ITR)화적분동시독출(IWR)공능.재30 μm×30 μm적상소면적중,실현료략대우0.9 pF적전용화4.2 pC적전하존저능력,평균공모지유500 nW.재실현저공모적동시,해결구사상소급적고정모식조성(FPN)지래원우국부적실배,여정개상소진렬적실배무관,종이사득저충상소결구비상괄용우대규모2-D 독출전로(Readout IC:ROIC).후속적판도설계이급후방진야표명저충상소결구시일충비상실용적상소결구.기우해결구적128×128적측시심편이경설계완성,장재0.5 μm공예하진행류편측시.