半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
11期
951-956
,共6页
MOSFET并联%安全工作区%导热%动态均流%PSPICE仿真
MOSFET併聯%安全工作區%導熱%動態均流%PSPICE倣真
MOSFET병련%안전공작구%도열%동태균류%PSPICE방진
并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作.基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与漏极电流的关系,说明了MOSFET的实际电流容量受散热条件制约,并以此确定在额定电流下需要并联的个数.用PSPICE电路仿真论述了外围电路Q值和功率管参数等因素对并联驱动的动态均流特性的影响.在此基础上搭建实验平台,成功实现了8个MOSFET并联在高频状态下的稳定工作.
併聯MOSFET非常適閤于在低電壓、大電流下工作.基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和測試瞭在一定散熱環境下MOSFET結溫的收斂特性與漏極電流的關繫,說明瞭MOSFET的實際電流容量受散熱條件製約,併以此確定在額定電流下需要併聯的箇數.用PSPICE電路倣真論述瞭外圍電路Q值和功率管參數等因素對併聯驅動的動態均流特性的影響.在此基礎上搭建實驗平檯,成功實現瞭8箇MOSFET併聯在高頻狀態下的穩定工作.
병련MOSFET비상괄합우재저전압、대전류하공작.기우IRFS4227PBF공솔MOSFET,분석화측시료재일정산열배경하MOSFET결온적수렴특성여루겁전류적관계,설명료MOSFET적실제전류용량수산열조건제약,병이차학정재액정전류하수요병련적개수.용PSPICE전로방진논술료외위전로Q치화공솔관삼수등인소대병련구동적동태균류특성적영향.재차기출상탑건실험평태,성공실현료8개MOSFET병련재고빈상태하적은정공작.
