4H-SiC BJT的Early电压分析
4H-SiC BJT적Early전압분석
Analysis of Early Voltage in 4H-SiC BJTs
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 9期 1433-1437 ,共5页

    韩茹%李聪%杨银堂%贾护军

    한여%리총%양은당%가호군

    碳化硅双极晶体管%Early电压%共射极电流增益%温度 碳化硅雙極晶體管%Early電壓%共射極電流增益%溫度
    탄화규쌍겁정체관%Early전압%공사겁전류증익%온도
    通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度Nc增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiC BJT的Early电压及电流增益的温度特性.
    통과고필완변기구4H-SiC BJT전류증익급기건내4충재류자복합과정,계산료4H-SiC BJT적액리(Early)전압,분석료Early전압급전류증익적온도특성.결과표명,기타삼수불변시,Early전압VA수발사구참잡농도NE증대이증대,수집전구참잡농도Nc증대이감소,수기구관도W증대이증대.SiC중잡질비완전리화회영향4H-SiC BJT적Early전압급전류증익적온도특성.
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