半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
8期
697-699
,共3页
组合电路%相位组合%功率谱密度%FCC辐射掩蔽
組閤電路%相位組閤%功率譜密度%FCC輻射掩蔽
조합전로%상위조합%공솔보밀도%FCC복사엄폐
讨论了当前UWB发展的形势.结合传统UWB脉冲发生器设计方法,采用数字设计技术,基于0.18μm工艺标准的CMOS技术,利用组合电路的竞争机制和短矩形脉冲的相位组合原理,设计出了低功耗窄宽度的UWB脉冲发生器,其功率谱符合FCC辐射掩蔽标准.经验证获得了很好的效果,得到的脉冲宽度为370 ps,峰值电压为380 mV.在脉冲重复频率为1 MHz和480 MHz时系统功耗分别仅为0.7 mW和17.4 mW.
討論瞭噹前UWB髮展的形勢.結閤傳統UWB脈遲髮生器設計方法,採用數字設計技術,基于0.18μm工藝標準的CMOS技術,利用組閤電路的競爭機製和短矩形脈遲的相位組閤原理,設計齣瞭低功耗窄寬度的UWB脈遲髮生器,其功率譜符閤FCC輻射掩蔽標準.經驗證穫得瞭很好的效果,得到的脈遲寬度為370 ps,峰值電壓為380 mV.在脈遲重複頻率為1 MHz和480 MHz時繫統功耗分彆僅為0.7 mW和17.4 mW.
토론료당전UWB발전적형세.결합전통UWB맥충발생기설계방법,채용수자설계기술,기우0.18μm공예표준적CMOS기술,이용조합전로적경쟁궤제화단구형맥충적상위조합원리,설계출료저공모착관도적UWB맥충발생기,기공솔보부합FCC복사엄폐표준.경험증획득료흔호적효과,득도적맥충관도위370 ps,봉치전압위380 mV.재맥충중복빈솔위1 MHz화480 MHz시계통공모분별부위0.7 mW화17.4 mW.
