电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2006年
10期
14-18
,共5页
Jinru Bian%Matthew VanHanehem%Hugh Li%高仰月
Jinru Bian%Matthew VanHanehem%Hugh Li%高仰月
Jinru Bian%Matthew VanHanehem%Hugh Li%고앙월
化学机械抛光%去除率%阻挡层浆料
化學機械拋光%去除率%阻擋層漿料
화학궤계포광%거제솔%조당층장료
集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/或氮化硅(SiN),下面的层可以在低k介质之上用氮碳化硅(SiCN),碳化硅(SiC),或CDO(carbon dopped oxide)直接生成.因此,对于适合铜CMP的选择性浆料,除了具备的高去除率之外,须是在去除上面盖层后能够在下面的介质层表面上终止的浆料.Rohm和Haas电子材料已经开发出能够有效地去除TaN,TEPS,SiN,CDO和/或SiCN,或这些材料的任一化合物的一系列浆料,或者是能够在TEOS、SiN、CDO、SiCN和SiC的任何一种或两种薄膜表面终止,这完全取决于这些特殊浆料的配方设计,通过一两种添加剂控制去除率达到要求.系列浆料中的大多数浆料研磨剂的含量较低,在低压力的情况下具有良好的去除率,为了适应多种行业的需求,高低pH值均可使用.大多数浆料是可调的,用一种或两种添加剂来控制薄膜的去除率.描述和讨论了这些浆料的改良原理.
集成電路的前緣技術是在低k介質材料上設計3箇蓋層的複雜結構,上麵的蓋層可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅痠鹽和/或氮化硅(SiN),下麵的層可以在低k介質之上用氮碳化硅(SiCN),碳化硅(SiC),或CDO(carbon dopped oxide)直接生成.因此,對于適閤銅CMP的選擇性漿料,除瞭具備的高去除率之外,鬚是在去除上麵蓋層後能夠在下麵的介質層錶麵上終止的漿料.Rohm和Haas電子材料已經開髮齣能夠有效地去除TaN,TEPS,SiN,CDO和/或SiCN,或這些材料的任一化閤物的一繫列漿料,或者是能夠在TEOS、SiN、CDO、SiCN和SiC的任何一種或兩種薄膜錶麵終止,這完全取決于這些特殊漿料的配方設計,通過一兩種添加劑控製去除率達到要求.繫列漿料中的大多數漿料研磨劑的含量較低,在低壓力的情況下具有良好的去除率,為瞭適應多種行業的需求,高低pH值均可使用.大多數漿料是可調的,用一種或兩種添加劑來控製薄膜的去除率.描述和討論瞭這些漿料的改良原理.
집성전로적전연기술시재저k개질재료상설계3개개층적복잡결구,상면적개층가이용TEOS(tetraethyl orthosilicate)사을기원규산염화/혹담화규(SiN),하면적층가이재저k개질지상용담탄화규(SiCN),탄화규(SiC),혹CDO(carbon dopped oxide)직접생성.인차,대우괄합동CMP적선택성장료,제료구비적고거제솔지외,수시재거제상면개층후능구재하면적개질층표면상종지적장료.Rohm화Haas전자재료이경개발출능구유효지거제TaN,TEPS,SiN,CDO화/혹SiCN,혹저사재료적임일화합물적일계렬장료,혹자시능구재TEOS、SiN、CDO、SiCN화SiC적임하일충혹량충박막표면종지,저완전취결우저사특수장료적배방설계,통과일량충첨가제공제거제솔체도요구.계렬장료중적대다수장료연마제적함량교저,재저압력적정황하구유량호적거제솔,위료괄응다충행업적수구,고저pH치균가사용.대다수장료시가조적,용일충혹량충첨가제래공제박막적거제솔.묘술화토론료저사장료적개량원리.
