电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
3期
53-55
,共3页
崔志明%陈朝阳%巴维真%蔡志军%丛秀云
崔誌明%陳朝暘%巴維真%蔡誌軍%叢秀雲
최지명%진조양%파유진%채지군%총수운
电子技术%高补偿硅%化学沉积法%硅镍化合物
電子技術%高補償硅%化學沉積法%硅鎳化閤物
전자기술%고보상규%화학침적법%규얼화합물
采用4.5 Ω·cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅.用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极.用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线.结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触.
採用4.5 Ω·cm的p型單晶硅,通過高溫氣相擴散法將錳摻入硅中,得到高補償單晶硅.用化學沉積法,在高補償單晶硅材料的錶麵鍍金屬鎳膜,經500℃退火15 min,製成Ni電極.用SEM和XPS對電極進行分析,併測試材料的I-V特性麯線.結果錶明:經退火後鎳與硅形成硅鎳化閤物(Ni2Si),電極正反嚮電阻一緻,性能穩定,形成歐姆接觸.
채용4.5 Ω·cm적p형단정규,통과고온기상확산법장맹참입규중,득도고보상단정규.용화학침적법,재고보상단정규재료적표면도금속얼막,경500℃퇴화15 min,제성Ni전겁.용SEM화XPS대전겁진행분석,병측시재료적I-V특성곡선.결과표명:경퇴화후얼여규형성규얼화합물(Ni2Si),전겁정반향전조일치,성능은정,형성구모접촉.
