半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
1期
6-8,11
,共4页
多模干涉器%波分复用器%精确导模分析法
多模榦涉器%波分複用器%精確導模分析法
다모간섭기%파분복용기%정학도모분석법
为了减小波分复用器的器件长度,在聚酰亚胺材料的基础上,设计了一种赝态结构的2×2多模干涉波分复用器,并用精确导模分析法对其进行模拟分析和优化设计.结果表明,赝态结构波分复用器可以有效地对980 nm和1 550 nm光进行解复用,而器件尺寸只有传统设计的1/5;且器件在器件长度和波长变动中显示出良好的容差性,能够与掺铒放大器和激光器实现集成.其中,赝态结构多模干涉聚酰亚胺波分复用器的干涉区宽度和长度以及输入口宽度和距离对其性能均有影响.
為瞭減小波分複用器的器件長度,在聚酰亞胺材料的基礎上,設計瞭一種贗態結構的2×2多模榦涉波分複用器,併用精確導模分析法對其進行模擬分析和優化設計.結果錶明,贗態結構波分複用器可以有效地對980 nm和1 550 nm光進行解複用,而器件呎吋隻有傳統設計的1/5;且器件在器件長度和波長變動中顯示齣良好的容差性,能夠與摻鉺放大器和激光器實現集成.其中,贗態結構多模榦涉聚酰亞胺波分複用器的榦涉區寬度和長度以及輸入口寬度和距離對其性能均有影響.
위료감소파분복용기적기건장도,재취선아알재료적기출상,설계료일충안태결구적2×2다모간섭파분복용기,병용정학도모분석법대기진행모의분석화우화설계.결과표명,안태결구파분복용기가이유효지대980 nm화1 550 nm광진행해복용,이기건척촌지유전통설계적1/5;차기건재기건장도화파장변동중현시출량호적용차성,능구여참이방대기화격광기실현집성.기중,안태결구다모간섭취선아알파분복용기적간섭구관도화장도이급수입구관도화거리대기성능균유영향.
