武汉大学学报（理学版）
武漢大學學報（理學版）
무한대학학보（이학판）
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2006年
1期
35-39
,共5页
邵云东%王柱%赵有文%唐方圆
邵雲東%王柱%趙有文%唐方圓
소운동%왕주%조유문%당방원
GaSb%符合多普勒展宽%正电子湮没%电子辐照%缺陷
GaSb%符閤多普勒展寬%正電子湮沒%電子輻照%缺陷
GaSb%부합다보륵전관%정전자인몰%전자복조%결함
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
用正電子壽命譜和符閤多普勒技術研究瞭電子輻照過的GaSb樣品.揭示齣原生未摻雜GaSb樣品中存在單空位型VGa相關缺陷,具有284 ps左右的壽命值.電子輻照能使這種缺陷的濃度增大,使平均壽命值從輻照前的265 ps增大到輻照後的268 ps.低溫符閤多普勒展寬實驗結果錶明退火後的電子輻照過的原生未摻雜GaSb樣品中仍然存在反位缺陷GaSb.摻Zn、Te樣品的實驗也證實電子輻照在GaSb樣品中會引入VGa,284 ps類型的缺陷.
용정전자수명보화부합다보륵기술연구료전자복조과적GaSb양품.게시출원생미참잡GaSb양품중존재단공위형VGa상관결함,구유284 ps좌우적수명치.전자복조능사저충결함적농도증대,사평균수명치종복조전적265 ps증대도복조후적268 ps.저온부합다보륵전관실험결과표명퇴화후적전자복조과적원생미참잡GaSb양품중잉연존재반위결함GaSb.참Zn、Te양품적실험야증실전자복조재GaSb양품중회인입VGa,284 ps류형적결함.
