光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
1期
30-33
,共4页
光纤通信%硅光电探测器%PIN光电二极管%上升时间%暗电流
光纖通信%硅光電探測器%PIN光電二極管%上升時間%暗電流
광섬통신%규광전탐측기%PIN광전이겁관%상승시간%암전류
根据光纤入户(FTTH)的应用特点,选用外延层厚度和电阻率各不相同的三种硅外延片,研制了用于FTTH的PIN硅光电探测器,并与硅单晶材料的PN结光电二极管进行了全程比对.测量结果表明,PIN探测器的暗电流可达10-11A量级,响应时间为2 ns.分析了Ⅰ层厚度和电阻率对探测器件暗电流、结电容和响应时间的影响及引起特性差别的原因,为设计能满足光纤通信要求的光电探测器提供了依据.
根據光纖入戶(FTTH)的應用特點,選用外延層厚度和電阻率各不相同的三種硅外延片,研製瞭用于FTTH的PIN硅光電探測器,併與硅單晶材料的PN結光電二極管進行瞭全程比對.測量結果錶明,PIN探測器的暗電流可達10-11A量級,響應時間為2 ns.分析瞭Ⅰ層厚度和電阻率對探測器件暗電流、結電容和響應時間的影響及引起特性差彆的原因,為設計能滿足光纖通信要求的光電探測器提供瞭依據.
근거광섬입호(FTTH)적응용특점,선용외연층후도화전조솔각불상동적삼충규외연편,연제료용우FTTH적PIN규광전탐측기,병여규단정재료적PN결광전이겁관진행료전정비대.측량결과표명,PIN탐측기적암전류가체10-11A량급,향응시간위2 ns.분석료Ⅰ층후도화전조솔대탐측기건암전류、결전용화향응시간적영향급인기특성차별적원인,위설계능만족광섬통신요구적광전탐측기제공료의거.
