磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究
자공천사Ge박막적결정특성연구
Study on the crystallization characteristic of Ge thin films by magnetron sputtering
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 z1期 1097-1099,1106 ,共4页

    高立刚%陈刚%邓书康%陈亮%阚家德%俞帆%杨宇

    고립강%진강%산서강%진량%감가덕%유범%양우

    Ge薄膜%XRD%Raman散射光谱%晶粒尺寸%声子限域理论 Ge薄膜%XRD%Raman散射光譜%晶粒呎吋%聲子限域理論
    Ge박막%XRD%Raman산사광보%정립척촌%성자한역이론
    采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
    채용직류자공천사기술제비료불동츤저온도하적Ge단층막,XRD분석결과표명,당츤저온도저우350℃시Ge막위비정결구,고우400℃시개시결정.병연구료불동척촌Ge과립적Ramah산사보특정,여정체Ge적산사보상비,관찰도납미Ge과립Raman산사보적봉위홍이여봉형관화현상;병근거Raman보적홍이량계산료납미Ge정립적평균척촌,채용성자한역이론교호지해석료실험결과.
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