半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
140-143
,共4页
夏志良%刘晓彦%刘恩峰%韩汝琦
夏誌良%劉曉彥%劉恩峰%韓汝琦
하지량%류효언%류은봉%한여기
双栅MOSFET%阈值电压%FINFET%三维模拟%短沟效应
雙柵MOSFET%閾值電壓%FINFET%三維模擬%短溝效應
쌍책MOSFET%역치전압%FINFET%삼유모의%단구효응
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.
使用三維模擬軟件對具有FINFET的多柵結構(主要是雙柵和三柵)進行瞭模擬.對比瞭雙柵和三柵的I-V特性.髮現三柵的特性要優于雙柵;減小FIN寬度(即兩箇側柵之間的距離),雙柵和三柵結構特性之間的差距變小.
사용삼유모의연건대구유FINFET적다책결구(주요시쌍책화삼책)진행료모의.대비료쌍책화삼책적I-V특성.발현삼책적특성요우우쌍책;감소FIN관도(즉량개측책지간적거리),쌍책화삼책결구특성지간적차거변소.
